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英诺赛科30W Gan快充方案体积小、成本低并且效率提升9%
[ 发布日期:2021-03-03 14:35:28 | 浏览:476次 ]
        英诺赛科30W Gan快充方案基于InnoGaN系列第二代产品INN650DA04打造,具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点,能够做到体积小、成本低并且效率提升9%

         (一)英诺赛科30W Gan快充方案效率提升9%,稳定性更强
 
基于英诺赛科高频高效的特性,30W氮化镓方案效率得到了质的飞跃,与市面上主流的Si MOS方案相比,在90V输入条件下效率可提升9%。不仅达到了节能效果,还可以减小损耗,大大降低外壳温升,安全性更高、稳定性更强。

英诺赛科30W Gan快充方案效率提升9%,稳定性高、成本低

         (二)英诺赛科30W Gan快充方案极简设计,性价比更高
 
        英诺赛科30W Gan快充方案快充的高频特性,在实现高效率和小尺寸方面,明显优于Si MOS。由于GaN的效率足够高,可以节省热片设计,从而实现小尺寸高效率的紧凑型适配器设计,通过更好地控制内部温升,以及GaN相对Si更强的抗高温特性,搭配简洁的设计和布局,大大降低了系统成本与加工成本。

        英诺赛科不但拥有自己的8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线,而且有及先进的研发品控分析能力,使得InnoGaN系列的整体性能、成本、产能均得到很好的把控。此次利用GaN氮化镓技术重点打造高频高效、高性价比的30W Gan快充方案将再次引爆今年的快充充电器市场。

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